SK하이닉스, 인텔 낸드사업 인수…메모리 반도체 세계 2위 도약 > NEWS

10조3천억원에 인수 계약…SSD 등 사업 경쟁력·포트폴리오 강화 목적

국내 M&A 사상 최대 규모…삼성전자[005930]의 하만 인수금액 뛰어 넘어

SK하이닉스가 미국 인텔사의 낸드 사업 부문 전체를 10조3천억원에 인수한다. 이번 인수합병으로 SK하이닉스는 메모리 반도체중 D램에 이어 낸드 부문에서도 글로벌 2위 기업으로 도약하게 됐다.

SK하이닉스는 20일 공정공시를 통해 미국 인텔사의 메모리 사업 부문인 낸드 부문을 90억달러(10조3천104억원)에 인수하는 내용의 양도 양수 계약을 체결했다고 밝혔다.

이 금액은 지난 2016년 삼성전자의 하만 인수금액(80억달러)을 뛰어넘는 국내 M&A 사상 최대 규모가 될 전망이다.

SK하이닉스는 이와 관련해 이날 오전 이사회 의결도 마쳤다.

인수 부문은 인텔의 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 사업 부문과 낸드 단품 및 웨이퍼 비즈니스, 중국 다롄 생산시설을 포함한 낸드 사업 부문 전체이며 차세대 메모리 분야인 인텔의 옵테인 사업부문은 인수 대상에서 제외됐다.

SK하이닉스가 인텔의 낸드 사업 인수에 나선 것은 메모리 반도체 부문의 경쟁력을 강화해 D램에 이어 낸드까지 균형있는 포트폴리오를 구성하기 위해서다.

SK하이닉스는 현재 D램 부문에 있어서는 삼성에 이어 2위를 차지하고 있지만 낸드 부문은 글로벌 5위 수준이다.

SK하이닉스, 인텔 낸드사업 인수…메모리 반도체 세계 2위 도약(종합2보) - 2

시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 낸드시장 점유율은 삼성이 35.9%로 1위이며 SK하이닉스가 9.9%, 인텔이 9.5%를 차지하고 있다.

SK하이닉스가 인텔 인수를 마무리하면 낸드시장 점유율은 약 20%에 달하게 돼 키옥시아(19%)를 제치고 삼성에 이어 글로벌 2위로 뛰어오르게 된다.

특히 인텔의 강점인 기업용 SSD 시장에서는 삼성을 제치고 세계 1위로 올라설 것으로 보인다.

SK하이닉스는 이번 인수로 빅데이터 시대를 맞아 급성장하고 있는 낸드플래시 분야에서 기업용 SSD 등 솔루션 경쟁력을 강화해 글로벌 선두권 기업으로 도약한다는 구상이다.

SK하이닉스는 2018년도에 CTF(Charge Trap Flash) 기반 96단 4D 낸드(2018년)를, 지난해에는 128단 4D 낸드 플래시를 세계 최초로 개발하는 등 낸드 시장에서 괄목할 만한 기술력을 선보이고 있다.

인텔은 컴퓨터 중앙처리장치(CPU) 부문의 최강자로, SSD 기술력 역시 업체 최고 수준으로 꼽힌다.

인텔의 올해 상반기 낸드 부문의 매출액은 약 28억달러, 영업이익은 약 6억달러로 영업이익률이 21.4%에 달하는 등 수익성도 양호해 인수에 따른 시너지 효과를 기대할 수 있을 것으로 회사측은 내다봤다.

SK하이닉스는 앞으로 인텔의 솔루션 기술 및 생산 능력을 접목해 기업용 SSD 등 고부가가치 중심의 3D 낸드 솔루션 포트폴리오를 구축할 계획이다.

앞서 19일(현지시간) 미국의 월스트리트저널(WSJ)은 SK하이닉스가 인텔과 메모리 반도체 사업분야 인수에 대한 협상을 벌이고 있고, 타결에 접근하고 있다고 보도했다.

인텔은 그동안 비주력이고 상대적으로 경쟁력이 떨어지는 메모리 사업 부문 정리를 추진해왔다.

인텔은 이번 거래를 통해 얻게 되는 재원을 제품 경쟁력 강화와 인공지능(AI), 5G 네트워킹, 인텔리전트 엣지(Intelligent Edge) 및 자율주행 기술(Autonomous Edge) 등 장기적 성장이 필요한 분야에 활용할 것으로 알려졌다.

SK하이닉스와 인텔은 이번 계약과 관련해 내년 말까지 주요 국가의 규제 승인을 얻을 계획이다.

규제 승인을 받으면 SK하이닉스는 우선 70억달러를 인텔측에 지급하고 인텔의 낸드 SSD 사업(SSD 관련 IP 및 인력 등)과 중국 다롄 공장 자산을 SK하이닉스로 이전하게 된다.

이후 인수 계약 완료가 예상되는 2025년 3월에 SK하이닉스는 20억달러를 지급하고 인텔의 낸드플래시 웨이퍼 설계와 생산관련 IP, R&D 인력 및 다롄팹 운영 인력 등 잔여 자산을 인수한다.

인텔은 계약에 따라 최종 거래 종결 시점까지 다롄 메모리 생산 시설에서 낸드 웨이퍼를 생산할 예정이다.

<연합뉴스>